《表1 团簇V3BP各构型原子的电子自旋密度值》

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《团簇V_3BP电子自旋密度的研究》

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电子自旋密度分布作为影响构型稳定性的因素之一[20]，其真实分布的客观合理程度对构型的稳定性分析具有重要的意义。表1列出了团簇V3BP各优化构型原子的电子自旋密度值，正值代表α成单电子出现的净概率密度，负值可视为β成单电子出现的净概率密度。通过表1数据可以看出，各优化构型（除4 （2）、6（2）外） 中B原子的电子自旋密度均为负值，所有构型（除2 （4）、5（2）、6（2）外） 中P原子的电子自旋密度也均为负值，说明在各优化构型中B、P原子上电荷分布基本为β电子。整体而言每个构型中均有1个V原子的电子自旋密度为负值，电荷分布为β电子（构型6 （2）有两个V原子电子自旋密度为负值且数值相近，分别为:V1，-1.650；V3，-1.645） 。构型1（4）的V1和V2原子的电子自旋密度值基本相同，并根据图1可知B-V1和B-V2、P-V1和P-V2、V3-V1和V3-V2键长均相同，电荷分布均为β电子的B、V3、P在同一平面上，由此可知构型1（4）外围电子自旋密度分布均匀，对称性好，能量最低，稳定性最好。