《表3 低能N+离子束注入后DDGJ05菌株突变率统计Table 3 The statistical graph of mutation rate of DDGJ05after implantatio
用剂量分别为20×2.6×1013、40×2.6×1013、60×2.6×1013和80×2.6×1013N+·cm-2的N+离子注入处理DDGJ05、DDGJ01和DDEN01菌株,发现只有DDGJ05中出现了正突变菌株。由表2可知,在N+离子注入剂量为20×2.6×1013N+·cm-2时,只有1个正突变菌株,将其编号为DDGJ05-20-8,其对大豆疫霉的菌丝生长抑制率为91.12%,超过DDGJ05亲本对照的抑制率(86.01%);当N+离子注入剂量为40×2.6×1013N+·cm-2时,有2个正突变菌株,将其编号为DDGJ05-40-8和DDGJ05-40-10,两者对大豆疫霉的菌丝生长抑制率分别为93.52%和94.00%。由表3可知,在N+离子束注入剂量超过40×2.6×1013N+·cm-2时,随着N+离子束注入剂量的增加,未出现正突变菌株。DDGJ05-20-8、DDGJ05-40-8和DDGJ05-40-10对大豆疫霉菌丝生长的抑制效果详见图1。
图表编号 | XD0026924700 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2018.10.10 |
作者 | 陈方新、齐永霞、丁婷 |
绘制单位 | 安徽农业大学植物保护学院、安徽农业大学植物保护学院、安徽农业大学植物保护学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |