《表4 Sc在Mo上生长时的吸附能》

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《钪(Sc)薄膜在金属钼(Mo)衬底上的生长机制模拟研究》

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采用分子动力学方法中的lammps软件对Sc薄膜在Mo衬底上的生长机理进行了初步研究。其中物质间相互作用势采用已有的Sc-Sc和本文拟合出的Mo-Mo与ScMo[16]的作用势。模拟结果见表4，由表中可知，拟合的吸附能值虽然和VASP的计算值最大有10%左右的误差，但是从模拟结果中发现一个Sc替换掉表面层一个Mo的能量最高，Sc吸附在Mo的表面上的时候吸附能随着Sc/Mo原子比例增加逐渐降低，该变换趋势与vasp计算结果相符合。所以Sc在Mo衬底上的薄膜生长是可以稳定进行的。