《表1 N2Hx (x=1~4) 在Ir (100) 表面最优吸附位置的吸附能和几何参数》

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《肼在Ir(100)表面吸附与解离的第一性原理研究》

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对于N2H4在Ir（100）面上的吸附，我们考察其在Ir（100）面上的多种构型及其相应的吸附能，结果得到N2H4是以反式的构型吸附在此表面最稳定.其中一个N原子吸附在顶位，此N原子和与之相连的Ir原子之间的距离为0.217nm，另一个N原子被举起，N—N键投影至表面的桥位Ir—Ir键，且N—N键和与之相连的Ir原子之间形成121.9°的键角，如图1（a）所示.我们也发现N2H4的N—N键也可以指向不同的方向，但均没有此种情况稳定，此结果与N2H4在Ni（100）表面吸附情况类似[16].N—N键键长为0.145nm，4个N—H键键长均为0.103nm，见表1.