《表3 不同条件下CAM单元的功耗对比表》

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《基于CNFET的三值内容寻址存储器单元设计》

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从表2~4可以看出，在室温为27℃、工作电压为0.9V的标准条件下，本文提出的CAM单元与文献[7]的三态CAM单元相比，延时降低21%，功耗降低94%，PDP降低95%；在其他条件下，本文提出的CAM单元在不同的电压和温度下与文献[7]的三态CAM单元相比，均具有延时少、平均功耗和PDP低的特性。