《表2 噪声参量 (应力后)》

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《基于PHEMT器件的噪声测试方法研究》

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从以上图表可以看出:微波PHEMT器件主要分布1Hz~10k Hz频率范围内，所呈现的是1/f噪声；在施加热应力后，1/f噪声随着温度的升高而增加，由公式（1）可知，这是因为微波PHEMT器件的1/f噪声功率谱密度与载流子的迁移率有关，应力后的器件晶格热运动增加，导致声子对沟道的电子散射增强，从而使得迁移率降低，影响1/f噪声的变化。在10k Hz~100k Hz频率范围内，呈现的是G-R噪声谱。G-R噪声幅值、特征频率变化无规律，且幅值变化幅度较大，这主要是由于陷阱数和时间常数导致[9]。