《表2 InP中横向与纵向扩散深度的关系Table 2 Relationship between lateral and vertical diffusion depths in InP》

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《用刻蚀坑方法抑制平面型InGaAs/InP盖革模式APD的边缘击穿》

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通过闭管扩散的方法向已光刻刻蚀窗口的帽层InP中扩散Zn杂质，扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope，SEM）观察可发现Zn扩散区和非扩散区呈现不同的颜色，如图3，以方便确定Zn侧向扩散距离H1.侧向扩散距离H1和垂直扩散深度H2的比值为侧向扩散系数，其值见表2.侧向扩散系数分布范围为0.6~0.85，其均值为0.72，可见Zn的侧向扩散系数在0.7左右.