《表3 ρSCD=0.1 mg/cm2、ρNSDD=0.5 mg/cm2下闪络电压计算值与试验值的比较》

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《考虑CaSO_4溶解度的绝缘子闪络电压修正研究》

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由表2～表4可知:当污秽不均匀度（T/B）和ρNSDD一定时，XP-160型绝缘子交流污耐压试验值U50%随着ρSCD的增加而降低，例如Na Cl和Ca SO4为1∶1时，当ρSCD从0.05 mg/cm2增加到0.1 mg/cm2和0.25 mg/cm2后，绝缘子的U50%由15.04 k V下降到了10.79 k V和9.05 k V，可以看出，ESDD仍是影响闪络电压的主要因素。在ρSCD相同时，混合盐的污闪值高于只有Na Cl和Ca SO4混合溶液的污闪值，这是由于本文选用的Na2SO4和Ca Cl2溶解形成的污液中由于“同离子效应”抑制了Ca SO4的溶解，导致污闪电压的升高。因此，其余污秽成分对Ca SO4在污层中溶解行为的促进或抑制也是影响闪络电压计算公式精准度的重要因素之一。对比表3、表4可知:ρSCD=0.1 mg/cm2时Ca Cl2影响下的污闪电压比Na2SO4影响下的污闪电压高0.23 k V，而在ρSCD=0.25 mg/cm2时为0.52 k V，说明Ca Cl2比Na2SO4对污闪特性的影响要大，且随着盐密增高而增大。这与第二节分析相符合，而盐碱地区高污地区盐密普遍大于0.3 mg/cm2，因此污秽成分对绝缘子闪络特性的影响不应被忽略。通过对比实测值与预测值，其相对误差绝对值均小于6%，考虑试验本身数据的分散性，可以认为实测值与计算预测值基本相同，说明本文中的闪络电压修正计算模型是基本正确的。