《表1 配合物Cu Br-DCT的晶体数据和结构优化》

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配合物Cu Br-DCT晶体结构测试:在单晶衍射仪上,采用微焦斑Mo靶(λ=0.071073 nm)和CMOS成像技术探测器,工作电压及电流分别为50 k V和50 m A,利用APEX2程序收集和还原衍射数据。所有的强度数据都经过Lp因子校正和经验吸收校正。通过直接法[29]求解结构,并使用SHELXTL5.1版的全矩阵最小二乘法在F2上进行精修。配合物Cu Br-DCT的晶体数据和结构细化的细节如表1所示。CCDC(剑桥晶体学数据中心):2003810,Cu Br-DCT。