《表1 Si3N4陶瓷的力学性能》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《无压烧结氮化硅陶瓷的致密化过程》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

基于上述研究，认为Si3N4陶瓷的烧结应在较低温度下长时间保温，充分利用颗粒重排机制，提高致密度，随后再高温烧结，促进晶粒长大，由此确定Si3N4陶瓷的烧结制度为先将试样在1 650℃保温2 h，然后升温至1 800℃，保温2 h。采用这一烧结工艺对200MPa压力下冷等静压成形的直径为50 mm、高度7 mm的圆柱状样品进行烧结，所得Si3N4陶瓷的密度与力学性能列于表1，表面SEM形貌如图5所示。由图5可见材料表面致密，没有明显的孔隙，并且形成了典型的双峰分布，即尺寸较大的长柱状晶均匀分布在细小的基体晶粒中，可获得更好的力学性能[24]。从表1可知该Si3N4陶瓷的相对密度为98.4%，硬度HV10为15.7±0.5 GPa，抗弯强度和断裂韧性分别为1037.3±48.9 MPa和5.8±0.2 MPa.m1/2，基本达到气压烧结氮化硅陶瓷的性能水平[25]。