《表1 Si3N4材料的微观形貌特征参数》

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《振荡压力烧结氮化硅陶瓷微观形貌及其力学性能》

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不同烧结温度下的氮化硅样品表面抛光后采用CF4离子刻蚀的SEM照片如图5所示。由图5可见，烧结试样的晶粒尺寸和β相氮化硅长径比的变化更清晰可见，能够看到各个温度点晶粒形貌的变化。从图5a能够看到氮化硅基体中有许多细小的针状氮化硅。从1 725℃烧结样品的照片能够看到数量巨大的针状β-Si3N4晶粒，通过表1（通过软件统计图5晶粒的长径比得出的数据）可知，1 725℃烧结氮化硅样品晶粒长径比最大，其平均值达到了3.6。但当温度升高针状晶粒逐渐变大变粗，1 750℃烧结样品针状晶粒较1 725℃烧结样品有略微长大，在1 775℃烧结时，针状β-Si3N4晶粒尺寸异常长大。除了晶粒的长径比，氮化硅晶粒的尺寸是随着温度的升高而增大的。