《表不同试样的电化学腐蚀参数》

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《40Cr基体表面GO/BTESPT硅烷复合膜的制备和性能表征》

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图8为GO/BTESPT硅烷复合膜试样在3.5 wt%的Na Cl溶液中浸泡0、1、2和3 d后的Tafel曲线图，以40Cr空白基体作为对比，其电化学腐蚀参数如表4所示，其中腐蚀电位与基体的腐蚀倾向有关，腐蚀电流密度与基体的腐蚀速率成正比，若腐蚀电流密度越小，表明基体的腐蚀速率越慢。浸泡0 d的GO/BTESPT硅烷复合膜试样腐蚀电位为-0.488 V，腐蚀电流密度为8.506×10-7A?cm-2，与40Cr基体相比，腐蚀电位正移了0.112 V，腐蚀电流密度降低了约2个数量级，说明GO/BTESPT硅烷复合膜对40Cr基体具有良好的耐蚀防护性能，随着浸泡时间增加，GO/BTESPT硅烷复合膜试样的腐蚀电位逐渐负移，腐蚀电流密度逐渐增加，说明GO/BTESPT硅烷复合膜对基体的防护能力逐渐减弱，可能是随着浸泡时间的增加，GO/BTESPT硅烷复合膜的致密性逐渐变差，从而对腐蚀介质的阻隔作用逐渐降低，但浸泡3 d后的GO/BTESPT硅烷复合膜试样的腐蚀电流密度为1.246×10-5A?cm-2，仍小于40Cr基体，表明浸泡3 d后，膜层对基体仍具有一定的耐蚀防护能力。