《表1 改进的同步三切电路操作序列》
对于下降半周期,即vp>0,电流从引导网络上半部分流向下半部分,该电路的操作序列如表1所示。在同步时刻,按照表中操作序列号#1~#3的顺序连续导通对应的MOSFET,3个偏置翻转过程的偏置电压分别为Vb+Vd,Vd和-Vb+Vd,其中Vd为电流引导网络中二极D03,D04,D13和D14的管压降,Vb为辅助电容电压,即理想的偏置电压。对于上升半周期,有对称于下降半周期的MOSFET通断原则,只需保证电流从该网络下半部分流向上半部分时的偏置电压也有Vb+Vd,Vd和-Vb+Vd的序列。
图表编号 | XD0021926200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.09.20 |
作者 | 赵康 |
绘制单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海科技大学信息科学与技术学院、中国科学院大学 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |