《表2 Al4C3和Al P晶面间的匹配度》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《稀土磷复合变质剂对Al-20%Si合金的细化处理研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

从几何意义上分析Al4C3吸附Al P形成富集层是产生更多初晶硅形核位置的原因。对于非均匀形核，新相优先在母相中的异质处形核，即依附于液相中的外来基底形核。而形核数量的多少取决于晶核与基底之间润湿角的大小。当润湿角为0°时，即完全润湿，非均匀形核不需要做功就能形核；当润湿角较小时，形核所需的形核功也很小，使得液相更加容易形核，因此能够形成大量晶核。而低错配度平面之间的润湿角较小，当两相之间的错配度很小时，一个相就能作为另外一个相的异质形核质点。Al4C3和Al P的之间存在几个匹配的晶面，如表2所示，错配度都低于5%[20]。因此，Al4C3中至少有一个面可作为Al P的形核基底。可用如下方程表示：