《表1 峰值/载波放大器输出端设计参数Tab.1 Peaking and Carrier Amplifier Output Design Parameters》
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《应用于多标准无线通信的宽带Doherty功率放大器》
为验证新型合路器结构设计方案的可行性,采用Cree公司的CGH40010F GaN HEMT功放管,板材选用Rogers4350B(板材厚度H=762μm,介电常数εr=3.66),应用新型合路器结构仿真设计了一款基于GaN HEMT的宽带Doherty功率放大器。载波与峰值放大器栅极偏置电压分别选取-2.7V和-5.5V,对应于AB类和C类工作点。此外,为使两路放大器具有相等的饱和输出电流,本次设计采用非对称供电形式(主放大器28V,辅放大器32V)。同时为系统性地增强Doherty放大器带宽,输入输出匹配网络均选用宽带多节低通匹配网络。载波和峰值放大器输出端设计参数如表1所示。图5是载波与峰值放大器在Smith圆图上的输出匹配过程图,图6为新型宽带Doherty功率放大器完整电路图。
图表编号 | XD0021733100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.02.25 |
作者 | 程知群、张明、李江舟 |
绘制单位 | 杭州电子科技大学电子信息学院、杭州电子科技大学电子信息学院、杭州电子科技大学电子信息学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |