《表1 高光谱成像仪测试EMC项目》

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《高光谱遥感高速成像电路电磁兼容设计》

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为测试高光谱成像分系统的电磁兼容设计有效性，按照GJB151B-2013标准对分系统初样产品进行了电磁兼容试验[25-26]，试验项目及结果如表1所示。针对初样基线产品出现的超标，CE102的超标频点包括166.8kHz、1.222 MHz和3.394MHz，166.8kHz均为红外探测器制冷机驱动电路中H桥中MOSFET器件IRFN150开关的工作频率，1.222 MHz和3.394MHz频点为制冷机开关电源模块工作的倍频点。优化该器件供电轨上π型滤波电路参数后，超标频段被压制，复测测试效果如图9(b）所示。RE102的超标频段，1.25GHz高速SerDes传输发射频率超标进行针对性设计后，改善情况如图9(d）所示。