《表1 计算的热边界条件[4]》

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《CFETR内冷屏结构方案初探》


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深孔法的导热性比管板法好,能够更快的导出屏蔽板的热量,降低板的平均温度。热平衡状态下,根据黑体辐射公式,辐射热与温度四次方成正比,所以深孔法可以很好地减少屏蔽板辐射到磁体的热量。以管间距为430mm为例,在表1的边界条件下,屏蔽模型在等离子体放电工况(POS)和烘烤工况(BOS)下的温度分布如图3所示,最高温度列于表2中。