《表1 均压环、导线表面以及合成绝缘子根部最大电场强度单位:k V/m》
注:以上结果均为激励为525×姨2/姨3≈428.66 k V时的值。
根据所述计算方法和模型,笔者对塔头周围的电场和电位分布进行了计算。研究结果表明,合成电场在导线表面及高压端金具附近变化很大,其值随距导线距离的增加快速下降,在金具和均压环内电场强度比较小。由于塔窗的作用,三相线路周围的电场分布是不一致的。合成绝缘子的存在对整个塔头合成电场分布的影响很小,这是因为合成绝缘子是纯粹的介质,其介电常数不是很高,只有空气的4~5倍。合成绝缘子的存在对整个塔头电位分布的影响也微乎其微。由于图1中显示的区域较大,不能反映出均压环、导线表面以及合成绝缘子根部等局部电场的最大值,这些值将在表1列出。
图表编号 | XD00196331600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.12.25 |
作者 | 张胜、梁盼望、欧敏、汤光争 |
绘制单位 | 中国能源建设集团湖南省电力设计院有限公司、中国能源建设集团湖南省电力设计院有限公司、中国能源建设集团湖南省电力设计院有限公司、中国能源建设集团湖南省电力设计院有限公司 |
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