《表4 根据等效电路拟合的参数值》

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《长周期有序堆垛相对Mg-Gd-Y-Zn-Zr合金腐蚀行为的影响》

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图7中给出了拟合EIS数据的等效电路，Rs代表溶液电阻，Rct和Qdl分别代表在Mg基体和电解质溶液之间的界面处的电荷转移电阻和双电层，其用于描述高频下的电容回路。Rf和Qf分别代表中频电容回路中的腐蚀产物膜电阻和电容。表4是电化学阻抗谱的拟合结果，4种合金的电荷转移电阻大小依次为:合金1>合金4>合金3>合金2，表明在浸泡初期，合金的腐蚀速率按合金1﹤合金4﹤合金3﹤合金2依次增大。4种合金腐蚀产物膜电阻大小依次为:合金1>合金2>合金3>合金4，表明腐蚀产物膜对合金的保护性按合金1>合金2>合金3>合金4的顺序依次减小。根据拟合结果分析得出的腐蚀速率变化规律与腐蚀产物层厚度变化规律并不一致，这可能是由于LPSO相的分布对腐蚀过程产生了影响[9]。综合动电位极化和电化学阻抗谱结果可以看出，合金整体腐蚀速率的大小与腐蚀产物膜的保护性变化规律一致，说明腐蚀产物膜在合金的腐蚀过程中发挥重要作用。