《表1 与近年来发表的分布式放大器对比》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《基于GaAs工艺超宽带低噪声放大器设计》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

为突出LNA的超宽带、低功耗的特点，将本文与文献[4～8]进行对比，上述文献均是使用Ga As p HEMT工艺设计超宽带LNA，文献[4]和文献[5]分别采用反馈式和平衡式拓扑技术，文献[6～8]均采用分布式基本原理，比较其带宽、增益、噪声系数、尺寸、功耗等参数，对比情况如表1所示。