《表1 复合型多孔聚酰亚胺介电性能》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《多孔聚酰亚胺低介电材料研究现状》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

利用上述方法制备的多孔材料，在操作上虽简单方便，但存在的问题较为突出。相比之下，将含有孔洞结构的无机填料引入聚合物基体中来制备PI复合材料是一种更可行的方法。该方法不仅无低分子挥发物产生、无溶剂污染、减少能耗，同时还能实现对纳米孔径尺寸的调控。目前，应用较多的低介电常数填料有二氧化硅、聚倍半硅氧烷（polyhedral oligomeric silsesquioxane，POSS）、沸石等，将其对应合成的复合薄膜相关性能的比较整理于表1。