《表2 不同气孔率下的晶粒生长指数》

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《气孔与晶界相互作用的相场模拟》


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表2是利用式(26)对图12中各曲线拟合得到的结果。可以看出,当气孔率由0增加到8%,n由2.05增加到4.19。Kundin等[12]研究表明,随着气孔率的增加,n将由2变为4。这与本工作的研究结果基本一致。