《表2 真空热处理后临界电流测试结果》
在热处理调试过程中,为模拟Nb3Sn磁体在热处理之后的性能,在磁体周围放置了17个Nb3Sn短样,热处理结束后,对这些试样进行了临界电流测试,测试条件为12T 4.2K,测试结果见表1。对同一批试样,在小型真空热处理炉中进行了热处理试验,试验结果如表2所示。比对发现本热处理试样与真空热处理试样临界电流差别不大,均在合理范围值以内,说明本系统有效可靠,可以作为CSMC热处理监控系统。
图表编号 | XD00189152300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.11.25 |
作者 | 李童、武玉、李方逸、王维俊 |
绘制单位 | 中国科学院合肥物质科学研究院、中国科学技术大学科学岛分院、中国科学院合肥物质科学研究院、中国科学院合肥物质科学研究院、中国科学技术大学科学岛分院、中国科学院合肥物质科学研究院、中国科学技术大学科学岛分院 |
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