《表2 钼粉及纯钼样块的杂质元素含量》

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《电子束选区熔化制备纯钼块体的组织与性能》

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图3所示为SEBM成形的纯钼样块的宏观照片。由图可知，一次熔化成形样块表面（S1）较二次熔化成形表面（S4），稍有不平，但均无肉眼可见孔洞、裂纹等明显缺陷。对S1和S4工艺成形样块与粉末原材料的化学成分进行测试，结果如表2所列。其中，粉末中O、C、H和N元素的质量分数分别为0.004%、0.001%、0.001%和小于0.001%。同时，由于成形过程在高真空环境中进行，一次熔化工艺和二次熔化工艺成形的样块中C、N和H的含量与粉末相比，未检测出明显变化，而O元素质量分数增量也不超过0.001%。