《表5 LISICON型固态电解质的离子电导率》
通过掺杂取代的方法,能有效提高LISICON型固态电解质的离子电导率。例如,Li3+xXxY1-xO4(X为Si、Ge或Ti)在x=0时的离子电导率很低,这是由于其结构中所有Li+均参与骨架的形成,而参与骨架形成的Li+受O2-的束缚力强,不容易迁移。1995年,L.Hoffart等人[50]通过低价态X4+阳离子部分取代Y5+,电荷补偿作用而新引入的Li+填充在间隙位置,可以自由迁移,由此显著提高了离子电导率。在该系列固溶体中,Ge部分取代V得到的Li3.6V0.4Ge0.6O4离子电导率最高,室温下可达4×10-5 S/cm。2001年,R.Kanno等人[16]通过半径较大的P元素部分取代Li4GeO4中半径较小的Ge元素,进而增大晶胞尺寸,扩大离子传输通道;电负性较小的S元素完全取代电负性较大的O元素,进而减小骨架离子对Li+的束缚力,得到的Li4-x Ge1-xPxS4 (x=0.75)陶瓷室温总离子电导率高达2.2×10-3 S/cm。部分LISICON型固态电解质在25℃下的离子电导率见表5。
图表编号 | XD00188450300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2021.02.15 |
作者 | 任赞、廖擎玮、秦雷、仲超、王丽坤 |
绘制单位 | 北京信息科技大学理学院传感器重点实验室、北京信息科技大学理学院传感器重点实验室、北京信息科技大学理学院传感器重点实验室、北京信息科技大学理学院传感器重点实验室、北京信息科技大学理学院传感器重点实验室 |
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