《表2 不同放电强度下的最小总熔接损耗》

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《空芯光子带隙光纤与单模光纤的电弧熔接研究》

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实验测量了熔接损耗随放电条件的变化关系，见图6。当放电强度分别为35.0bit、30.0bit、25.0bit，放电时间以50ms间隔由350ms逐渐缩短到150ms时，正、反向的熔接损耗呈下降趋势。仔细观察发现，在150～250ms范围内，正向的熔接损耗保持在低位（<1.5dB）。然而，当放电时间仅150ms时，虽然熔接损耗很小，但连接极易断裂，证明两光纤没有很好地熔接在一起，因而不适合作为实际熔接参数，图6(b）、（c）中正是因为正向熔接点断裂而无法进行150ms时的反向熔接。不同放电强度下最小的总熔接损耗值列于表2，其中30.0bit、200ms和25.0bit、200ms时的总熔接损耗最小，均为2.59dB。将熔接损耗与Ri相联系，发现低熔接损耗的放电条件有200ms、25.0～35.0bit以及250ms、25.0bit，所对应的Ri均处于高位；Ri下降时，熔接损耗相应升高。Ri和熔接损耗的这种相关性本质上是空气孔塌缩程度和熔接损耗之间的关系。熔接模场相近的HC-PBGF和SMF时，空气孔塌缩程度较难监测，但可通过Ri的值加以估计：当Ri较高时，空气孔塌缩程度小，更容易实现低损耗熔接，因而可由Ri缩小熔接参数的选择范围。对于HC-800-02和780-HP，可实现低损耗熔接的参数范围为放电时间约200ms，放电强度取25.0～30.0 bit。图7为30.0bit、200ms时熔接点的光学显微图像。