《表1 仿真计算所用参数：铝屏蔽间隙对聚醚醚酮高能电子辐射下介质深层充电特性的影响》

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《铝屏蔽间隙对聚醚醚酮高能电子辐射下介质深层充电特性的影响》

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式中：qsc为空间电荷密度，C/m3；jc（x，y，t）为传导电流密度，A/m2；qdepo（x，y，t）为电荷沉积密度，C/（m-3·s-1）；jc（x，t）和jc（y，t）为沿x方向和y方向的传导电流密度，A/m2；EF（x，t），EF（y，t）分别为t时刻沿x方向和y方向的场强，V/m；σdark为固有的电导率，S/m；σRIC为辐射诱导电导率，S/m。