《表3 SiO2-1.0和SiO2-1.0-550的孔结构和比表面积》
为了探究经过空气热处理后硅胶孔道的变化图8显示了SiO2-1.0和SiO2-1.0-550在-196℃下的N2吸附-解吸等温线和孔径分布,表3显示了SiO2-1.0和SiO2-1.0-550的结构参数.结果表明,与SiO2-1.0相比,经过高温焙烧之后的硅胶比表面积稍变大,其孔容和孔径也有所变大.说明在经过热处理之后,孔道不仅没有坍塌,反而由于硅的引入,使孔道变大,孔容增加.
图表编号 | XD00178957200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.02.20 |
作者 | 何俊倩、蒋康、周瑛、周炳、卢晗锋 |
绘制单位 | 浙江工业大学化学工程学院,催化反应工程研究所、浙江工业大学化学工程学院,催化反应工程研究所、浙江工业大学化学工程学院,催化反应工程研究所、浙江工业大学化学工程学院,催化反应工程研究所、浙江工业大学化学工程学院,催化反应工程研究所 |
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