《表1 自偏置BaM铁氧体基片性能参数》

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《K波段自偏置微带环行器设计、制作及性能研究》

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由图1可知，BaM铁氧体基片的饱和磁化强度4πMs为4 300 Gauss，剩余磁化强度为3 612 Gauss，磁晶各向异性场为18 kOe，矫顽力为2 250 Oe，在50 GHz下测量铁磁共振线宽为350 Oe，相对介电常数为23，介电损耗角正切为0.005。由此可见，自偏置BaM铁氧体基片具有良好的磁性能，可以满足自偏置环行器设计需要，基片性能总结如表1所示。