《表4 高斯整数ZCZ序列集的构造实例及其参数表》

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《最佳及几乎最佳高斯整数ZCZ序列集的构造》

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通过表3可以看出，本文得到的高斯整数ZCZ序列集的参数和基序列集的参数相同，所以若基序列集选取最佳的或几乎最佳的，那么得到的高斯整数ZCZ序列集就是最佳的或几乎最佳的，即η≤1，说明本文构造的序列集可以达到Tang-Fan-Matsufuji界限.与表中其他几类构造结果相比，本文方法可得到奇长度和偶长度的构造结果，而文献[11]的定理4和5、文献[12]以及[13]只能构造偶数长度的高斯整数ZCZ序列集，所以本文方法得到的构造结果更加丰富.在表示序列电平组成的degree值比较一栏中，本文的构造结果可依据表1的基序列与过滤序列的不同选择方式获得不同但确定的degree值，具体构造实例见表4.