《表1 反激变换拓扑的电路元件参数》

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《LED驱动电源中反激变换拓扑的研究》

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如图2所示，在输入电压为120 V的条件下，以变压器初级电感电流iL1作为状态变量得到反激变换混沌图。由于反激变换拓扑变压器的初级线圈和次级线圈是隔离的，初级绕组和次级绕组并不能同时导通。在分析反激变换拓扑的分叉混沌特性时，需要根据变压器初级线圈和次级线圈之间的匝数比关系，将变压器的初级电感电流和次级电感电流联合起来以获得连续状态的电流，从而作出反激变换拓扑的分岔混沌图[5-7]。从图中可以明显看出，当Iref=25 A时，系统仍处于1周期轨道。当Iref=36 A时，系统发生二分岔。随着Iref增大，当其达到50 A时，系统完全进入混沌状态。可以清晰的看出，Iref在低值区域时，系统稳定，而随着其值不断的增大，系统也逐渐不稳定直至进入混沌状态。