《表1 不同处理时间的模拟电路元件参数》

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《钛锆系复合转化膜自愈效应的研究》

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通过对不同时间的阻抗谱进行模拟，建立相应的物理模型，可定量分析膜层的电化学过程。通过模拟，破坏前的阻抗谱模拟电路为R（C(R(C(R(CR）))))，破坏后的阻抗谱模拟电路为R（C(R(C(RW）)))，模拟结果见图2。表1为模拟电路对应的物理元件的参数，其中RCE为参比电极电阻，Cdl为双电层电容，Rc为膜层电阻，Cs为膜层电容，Rt为膜层扩散电阻，W为韦伯阻抗。发现膜层被破坏后Rc值降低，说明膜层已被击穿。随着处理时间的延长，膜层电阻逐渐增大，表明膜层在浸泡过程中发生修复，逐渐变得完好；韦伯阻抗随着处理时间的增加逐渐减小，说明随着处理时间的增加，膜层界面处的扩散过程越发明显。推测这是因为膜层中的可溶性物质溶解，在膜层与水溶液界面处形成扩散层，结合电阻值增大的现象，可以认为这是因为溶解出来的物质通过扩散的方式迁移到界面处，当p H值达到一定范围时，金属离子形成氢氧化物沉积到界面处，填补缺陷。