《表1 仿真重离子模型参数设定》

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《65 nm体硅工艺NMOS中单粒子多瞬态效应的研究》

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本研究仿真模拟了一个电荷共享的情况，TCAD模型中包含了两个NMOS，两个NMOS之间间隔0.49μm，粒子从其中一个NMOS漏极的位置进入，与硅平面法线方向成60°角，达到另一个NMOS的下方，以产生单粒子双瞬态脉冲。其中位于粒子入射处的器件为主器件（Primary Device），主器件替代末级反相器的NMOS，另一个则为从器件（Secondary Device），从器件替代首级反相器的NMOS。