《表2 电阻网络参数值 (ξ=10-7, N=3, P=6, M=12)》
考虑到控制电压VCTRL的摆幅在(0,1.8)V之间,而,考虑设定P=6,即外部电阻网络的设计需要匹配VCO振荡周期中的2~5阶高次非线性项。使用TSMC 180nm CMOS工艺库,选取差分延时单元中NMOS的宽长比为2μm/180nm,PMOS的宽长比为6μm/180nm,整个环形VCO电路中,使用3个差分延时单元来实现期望频率。使用本文提出的电阻网络求算方法,可以得到如表2所示的电阻网络参数值。
图表编号 | XD0016853600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.03.01 |
作者 | 陈旭东、陈章进、王文磊、李梦杰 |
绘制单位 | 上海大学微电子研究与开发中心、上海大学微电子研究与开发中心、上海大学计算中心、上海大学微电子研究与开发中心、上海大学微电子研究与开发中心 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |