《表2 静电敏感结构主要失效机理汇总Tab.2 Summary of main failure mechanisms of electrostatic sensitive structures》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《基于失效特征的静电损伤分析研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

静电放电对半导体器件的损伤机理从本质上可分为静电过电压导致的场致失效和瞬时放电电流引起的热致失效[9]。通常，ESD损伤造成的元器件失效的主要模式有:1) 端口漏电、击穿呈阻性甚至短路；2) 端口特性无明显变化，功能异常；3) 重要性能参数退化；4) 潜在性损伤:暂时无明显异常，后续使用中才逐渐表现出来。静电敏感结构主要失效机理汇总见表2。