《表2 栅极电流档位选择以及开通损耗和di/dt Tab.2 Choice of gate current level and data of turn-on losses and current s

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《电流源型驱动在高功率密度IGBT5中的应用研究》

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不同集电极电流下IGBT开通时的不同档位的损耗数据和电流变化率如图10所示。由图10可以看出，随着档位的提高，开通损耗能迅速降低，尤其在负载电流较大时降低得更加明显。与此同时，di/dt也在增大，负载电流大于600 A时di/dt增大的斜率没有负载电流小于600 A时的高。在不同的负载电流下，选用的档位以及数据如表2所示。