《表1 实验二工艺参数设计表》

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《多晶硅表面前处理对嵌入式闪存器件寄生电阻的减小》

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为了找到更好的多晶硅表面前处理等离子刻蚀工艺参数，我们设计了一组更加具体的实验。具体实验工艺参数设计如表1所示，分别包括:（1）现有工艺参数；（2）CF4气体流量减少；（3）CF4气体流量增加；（4）刻蚀过程功率增加；（5）刻蚀过程功率降低；（6）刻蚀腔内环境压力增加；（7）刻蚀腔内环境压力降低；（8）刻蚀过程作业时间增加；（9）刻蚀过程作业时间减少；（10）省略刻蚀，作为恶化的参考实验条件。