《表3 材料性能参数(μMKSV)》

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《基于共晶键合技术的CMUTs结构设计与试验测试》

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依据CMUTs单元结构参数，利用理论计算和有限元模拟的方法，分析圆形和正六边形空腔CMUTs单元结构在真空环境中的塌陷电压、谐振频率以及热应力、大气压对CMUTs薄膜变形的影响，以验证结构设计的可行性（即验证CMUTs薄膜在热应力及大气压力作用下是否会发生塌陷），并预测CMUTs主要性能。用于CMUTs主要性能分析的材料参数如表3所示[14-15]。