《表1 气相中的典型生长方法及其生长示意图、特点和实例a)》
气相法将材料通过升华、蒸发、溅射或分解等方式转化为气相之后沉积,从而实现从源物质到晶态的相变.气相外延法将气体分子沉积在单晶衬底上生长单晶薄膜,在制备电子、电光设备的薄膜和图案化纳米结构中具有潜在应用前景[20].重要的膜沉积技术包括金属有机气相沉积[35]、原子层沉积[36]、溅射[37]等.气相外延法的衬底选择取决于其组成、晶体缺陷及薄膜和衬底之间的晶格匹配度,衬底通常是通过熔体法生长的块状晶体切割而成的薄膜材料.膜沉积过程分为同质外延(即在相同材料的衬底上生长)和异质外延(即在不同的衬底材料上生长).表1概述了部分气相生长方法[38~46].
图表编号 | XD00162214300 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2020.06.20 |
作者 | 胡家乐、王汇霖、梁晰童、薛冬峰 |
绘制单位 | 中国科学院长春应用化学研究所稀土资源利用国家重点实验室、中国科学院长春应用化学研究所稀土资源利用国家重点实验室、中国科学院长春应用化学研究所稀土资源利用国家重点实验室、中国科学院长春应用化学研究所稀土资源利用国家重点实验室 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |