《表1 方程 (1) 中的A、B值与薄表面层生长动力学系数As》

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《磷酸二氢钾晶体薄表面层生长动力学实时显微研究》

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A与B值见表1，其中σ0=-B/A。从表1可看出，四条直线均未经过原点，相比柱面，锥面偏离程度更大。这说明在低过饱和度下，薄表面层的扩展速度可能与过饱和度不呈线性关系，极可能存在生长死区，鉴于KDP晶体柱面与锥面台阶都存在生长死区[14-15]，且生长基元附着在台阶扭折处形成的周期性键链多于其附着在薄表面层生长前端晶格座位处，因此，猜测薄表面层同样存在生长死区，即当溶液过饱和度小于某一临界过饱和度时，薄表面层不生长。