《表1 不同温度下激光器的微分电阻值的变化》

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《低温下GaSb基量子阱激光器的光电特性研究》

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从图3中可得出，随工作温度的升高激光器的开启电压和微分电阻都在下降。对微分电阻的阻值计算，应该选取I-V曲线趋于稳定时的切线斜率，当电流为40 mA附近时I-V曲线已经变得很平滑，故电流与电压的变化比值的平均值与微分电阻的阻值极其相近，故选取此电流附近的电流与电压的变化比值的平均值来作为激光器微分电阻值，具体计算数值如表1所示。随着器件工作温度的升高，虽然在半导体材料中由于杂质和晶格加强了载流子的散射，且降低了半导体材料的电导率，但是温度的升高也同时降低了材料的带隙[16]。在半导体激光器中，势垒的降低会使载流子更加容易的穿过势垒，导致了器件的电导率随着温度的升高而变大，降低了激光器的微分电阻，所以激光器微分电阻值的下降主要是由于p-n结势垒的降低而引起的。