《表2 硼含量和VO2颗粒尺寸、表面粗糙度及相变温度间的关系[25]》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《VO_2相变温度及性能的影响因素与应用研究进展》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

一般来说，当掺杂离子半径大于V4+时，其会代替VO2中V原子的位置使其结构发生扭曲变形，造成V—V键被拉长，因此在发生相变时，必须降至更低温度才能使变长的V—V键恢复到低温单斜相的V—V键长，从而降低相变温度；当掺杂离子半径小于V4+时，掺杂离子会使V—V键缩短，在发生相变时，必须升至更高温度才能使缩短的V—V键恢复到高温金红石相的V—V键长，从而升高相变温度[24]。基于此，VOSTAKOLA等[16]以V2O5为前驱体、钨酸为掺杂剂、在草酸的作用下采用溶胶-凝胶法制备了钨掺杂VO2薄膜。结果表明，随着钨掺杂质量分数的增加（0～2%)，VO2的平均晶粒尺寸从70 nm降低到25 nm，在钨掺杂质量分数为2%时，VO2薄膜从半导体转变为金属。HAJLAOUI等[25]采用脉冲激光沉积法在硅衬底上分别沉积纯VO2和硼掺杂的VO2薄膜。发现随着硼摩尔分数的增加，VO2的平均晶粒尺寸和薄膜表面粗糙度都呈现减小的趋势，相变温度从纯VO2薄膜的69℃降低至45.3℃（硼摩尔分数0.8%）和17.5℃（硼摩尔分数1.6%）。表2为硼含量和VO2颗粒尺寸、表面粗糙度及相变温度间的关系。