《表1 Zn(Meq)2不同厚度时OLEDs的性能参数》

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《基于Zn(Meq)_2为发光和主体材料OLEDs性能的研究》

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图4是Zn（Meq）2厚度为60 nm时，双层器件在不同电压下的EL光谱。从图中可以看出EL位于绿光区，发光峰位为542 nm，相比于Znq2的EL光谱发生了蓝移[16]。这是由于吡啶环上引入供电子基团时降低了最低未占分子轨道（Lowest unoccupied molecular orbital，LUMO）值，因此使发光峰位蓝移[17]。图5是Zn（Meq）2厚度不同时的亮度-厚度曲线。由图可知，器件亮度先增加后降低，厚度为60nm时，最大亮度到达7 429 cd/m2；而当Zn（Meq）2的厚度进一步增加到70 nm时，亮度降低为7 039cd/m2。双层器件的激子复合区位于NPB/Zn（Meq）2界面，随着Zn（Meq）2层厚度由40 nm增至60 nm，激子复合区朝向阴极移动且界面拓宽，所以发光效率和亮度逐渐增加；而当Zn（Meq）2层厚度大于60 nm后，由于与NPB厚度相差太大，导致空穴和电子传输不匹配，复合效率下降，因此导致器件效率和亮度降低。器件相关性能参数见表1，器件启亮电压无明显变化，电流效率呈现出与亮度相似的变化规律，色坐标（Commission internationale de I′eclairage，CIE）几乎不变，说明Zn（Meq）2发光特性稳定。