《表1 单相V-Al系合金膜的H渗透率或渗透通量》

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《氢分离用单相V基合金膜研究进展》

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尽管V基合金膜在H渗透方面具有良好的发展前景，但是H分子的解离和重组需要在膜2个表面镀上催化层，以促进渗透过程。目前，几乎所有的催化剂都是Pd或Pd合金，但是，杂质气体可以显著降低Pd层的活性，所以Kim等人[23]研究了Nb和Ta作为催化层在V-Al-Ta合金膜两侧的催化潜力。Nb和Ta镀层的V85Al10Ta5合金膜的H渗透率比镀Pd层的合金分别低约48%和44%。在673 K，90 min的渗透实验后在X射线衍射图谱上发现，Nb和Ta镀层显著变化，原Nb和Ta的衍射峰消失，出现氢化物，而镀Pd的V85Al10Ta5合金膜没有变化，由此看来，非Pd催化层的研究还需要进一步改善。本节提及的单相V-Al系合金膜的H渗透率或渗透通量在表1中列出，并加入了Pd77Ag23[24]合金膜作为对比。