《表1：不同温度下零位漂移测量结果》
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这样，通过设计R的值来设置熔丝单元的击穿电阻阈值，只要其击穿后的电阻高于R，逻辑电平都可以被正确识别，提高了电路的冗余度。
| 图表编号 | XD00146191300 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2020.07.15 |
| 作者 | 周娴姊、高阳、刘建军、王海宝、郭彦 |
| 绘制单位 | 北京智芯半导体科技有限公司、北京智芯半导体科技有限公司、北京智芯微电子科技有限公司、北京智芯半导体科技有限公司、北京智芯微电子科技有限公司 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
这样，通过设计R的值来设置熔丝单元的击穿电阻阈值，只要其击穿后的电阻高于R，逻辑电平都可以被正确识别，提高了电路的冗余度。
| 图表编号 | XD00146191300 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2020.07.15 |
| 作者 | 周娴姊、高阳、刘建军、王海宝、郭彦 |
| 绘制单位 | 北京智芯半导体科技有限公司、北京智芯半导体科技有限公司、北京智芯微电子科技有限公司、北京智芯半导体科技有限公司、北京智芯微电子科技有限公司 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
