《表2 在电导液2中不同电压下产生信号的幅值高斯拟合值、持续时间指数衰减拟合值》

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《固态纳米孔上端粒序列的共价修饰与G-四联体折叠监测》

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实验探究了G-四联体在相同电压下不同离子电导液中的结构性质，在实验过程中发现G-四联体结构的性质和施加的电压也是相关的，所以进一步在电导液2中通过施加不同的电压，探索端粒序列DNA在纳米孔中因为结构的变化而产生的电流信号。实验分别在纳米孔装置的一端施加100 mV、150 mV和200 mV的电压。在使用与上述相同方法对信号进行分析后，得到图7、9、10和表2数据，可以看到在相同离子电导液中，不同电压对端粒序列DNA产生G-四联体结构具有很大的影响，由散点图（图7(a）、9(a）和10(a））可见随着电压的增加，事件数明显增多，表明孔内G-四联体结构在外电场力作用下折叠与解折叠更频繁；事件的电流堵塞信号幅值（图7(b）、9(b）和10(b））随电压增大而增大，符合高电压下产生大的离子电流的趋势；而信号的持续时间分布直方图（图7(c）、9(c）和10(c））表明信号的持续时间明显减小，说明随着电压的升高G-四联体结构的稳定性逐渐降低。