《表2 驱动电路性能参数对比》

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《GaN HEMT预充电式驱动电路设计》

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综上分析可得，独立拉灌式驱动总损耗为0.244 W，谐振式驱动总损耗为0.445 W，预充电式驱动总损耗为0.241 W。本文所提出的驱动比谐振式驱动损耗降低了45.8%，与独立拉灌式驱动损耗相当。在开关速度上预充电式驱动比前两者快，利于发挥GaN HEMT器件高频性能。