《表1 多项式N(VGD)参数》

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《基于SiC MOSFET非线性电容C_(GD)的Matlab电路仿真模型》

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为了拟合曲线的精确度，采用分段函数表达式，其与datasheet的对比如图6所示，实践部分为VDS处于0～200 V时datasheet的曲线，叉号及虚线分别表示两段拟合曲线。根据两段拟合曲线交点所在的位置，选择VGD=-14.63 V为临界点，令C0=1 pF，获得如式（10）所示函数表达式，各参数如表1所示。拟合曲线与图2中datasheet曲线对比如图7所示。通过计算，拟合曲线与datasheet曲线的平均相对误差为2.56%，在合理范围内。