《表1 MAPbI3单晶的α粒子响应传输特性》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《MAPbI_3单晶光电探测器的制备及应用》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

表1总结了使用α粒子（入射能量5.5 MeV）响应测试获得的MAPbI3单晶的传输特性。电子和空穴具有较大的迁移率和迁移率与寿命的乘积值，空穴的迁移率与寿命的乘积值达到了3.8×10-4 cm2/V，与室温核辐射探测材料CdZnTe中的空穴相当[9-10]，证实了逆温法生长的MAPbI3单晶具有优异的电荷传输特性，在室温辐射检测领域有巨大的潜力。