《表3 负载变化仿真结果统计表》
通过0.5μm CMOS工艺仿真验证,输入电压选取2.4 V,3.3 V与4.2 V三个典型值进行瞬态仿真验证。仿真中采用的电感DCR为10 mΩ,功率管MN导通阻抗为70 mΩ,同步整流管MP导通阻抗为30 mΩ,如图14~16所示。
图表编号 | XD00123963600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.12.28 |
作者 | 魏秀凌、胡黎、张春奇、高笛、明鑫、张波 |
绘制单位 | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 |
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